第611章國產光刻機的研發進程，至少縮短了
第611章國產光刻機的研發進程，至少縮短了(第1/4頁)
自從星源科技與華科協會下屬的光電所，聯手研發出了‘磁約束放電等離子體光源’（即mdp）技術後，便開始著手攻克光刻機的第二大技術壁壘——光學係統。
畢竟，單是‘造出光’還不行，還得‘用好這束光’，才能完成晶圓曝光，進而實現芯片的生產製造。
可讓陳延森頓感無奈的是，國內euv光源激發方式的主流研發方向，基本以激光產生等離子體、放電等離子體或者激光誘導放電等離子體為主。
而星源科技光學部絕大多數工程師的技能和項目經驗，都與研發需求不匹配。
所以在研發配套光學係統時，進度極為緩慢。
要知道，euv光幾乎會被所有物質吸收，因此無法使用傳統的玻璃透鏡，整個光路必須在真空環境中使用反射式光學係統。
收集鏡、照明係統、投影物鏡係統、掩膜版和掩膜臺都得設計配套的技術方案。
mdp-euv光源技術確實走出了一條獨特的新路，但這種創新並非冇有代價。
一切障礙，都要自己去掃平。
陳延森在獲悉光學部的研發進度後，立馬就絕望了。
他心裡清楚，若不給這幫人指條明路，恐怕五年、十年，都冇法往前邁出一步。
不得不說，他高估了林南團隊的水平。
他冇想到，這麼簡單的配套技術方案，林南等人卻在正確的路口邊緣，足足蹭了四五十天，卻無絲毫進展。
於是，陳延森在開發出脈思（mass）v1.0後，又馬不停蹄地設計出了“多殼層掠入射橢圓收集鏡係統”。
這玩意本質上是一套精密的多層膜鏡子，可以高效捕獲euv光源，並將其初步聚焦引導至照明係統裡。
難點主要有兩個：收集效率和抗損傷能力。
前者是因為euv光線是向四麵八方發散的，若想提升收集效率，就得設計複雜的多鏡拚接結構，同時保證每片鏡子的角度校準精度都要達到微米級。
然而，任何角度上的偏差都會導致光線漏失，從而影響到收集效率。
後者是因為等離子光源被激發後，會產生極高的溫度，這就需要超強的抗損傷能力。
收集效率要求多層膜具備“薄、勻、純、無遮擋”等特性，以最大化反射率和角度適配性。
而抗損傷能力要求多層膜又得“厚、硬、耐侵蝕”，必須增加額外保護層的材料。
聽起來很矛盾，但這也正是收集鏡的技術難點所在。
陳延森設計的這套“多殼層掠入射橢圓收集鏡係統”，便很好地平衡了收集效率與抗損傷能力。
不僅能夠高效捕獲由高功率脈衝放電、轟擊金屬錫靶產生的13.5納米euv光，還能將其彙聚到遠處的中間焦點，為後續的照明係統提供足夠功率且均勻
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