第441章光刻机概念论证
第441章光刻机概念论证(第1/4页)
发现并验证了半导体的物理放大原理，仅仅是推开了微电子时代的一条门缝。
要将这种脆弱的实验室晶体，转化为能够支撑运转的可靠组件，还需要经历严苛的工程学验证。
接下来的半年时间里，计算机研究所与材料学研究所抽调了最精锐的骨干，成立了联合攻关小组。
由于还没有设计流水线，所有早期的固态元件只能全靠手工制造。
学者们戴着厚厚的防尘口罩，在恒温室里，用镊子和极细的金属丝，小心翼翼地拼接出了几千个锗晶体管和硅晶体管的样品，并将它们封装在黑色的绝缘胶木之中。
随后，测试开始了。
毕竟工程学不相信奇迹，只相信极限状态下依然稳定的概率。
测试小组的学者们将这些黄豆大小的元件，分批次投入了极端的物理环境中。
他们把元件放进高达一百五十摄氏度的工业烤箱中持续烘烤。
或者在通电状态下，直接将其扔进刺骨的冰水混合物中测试热胀冷缩的应力。
甚至将其用螺栓固定在全速运转的大马力内燃机外壳上，以模拟火箭升空时那种低频共振。
实验数据在日复一日的记录中缓慢积累，厚厚的手写数据本在办公桌上堆成了一座小山。
神谕三二七七年，冬末。
联合测试中心的总结会如期召开。
“经过近万小时的交叉对比测试，我们得出了明确的结论，在未来的思路上，必须彻底放弃提纯相对容易的锗，全面转向提纯难度较高的硅。”
负责环境测试的高级工程师站在黑板前汇报着。
“锗晶体管在常温下表现尚可。”
“但是，一旦环境温度超过八十摄氏度，其内部的自由电子就会开始暴走，引发严重的热失控现象，导致整个逻辑电路短路崩溃。”
工程师指着黑板上的一条断崖式下跌的曲线，“对于需要塞进火箭整流罩，经受几千度气动加热的高空飞行器来说，锗元件是致命的。”
“相比之下，硅材料虽然需要两千度以上的高温区熔法才能提纯，工艺艰难，但它在耐高温和抗辐射的物理素质上，表现出了令人惊叹的稳定性。”
工程师翻开最后一页汇总报告，声音在大理石会议室内回荡。
“在常规环境下连续通电运行五千小时后，抽样测试的一千个硅晶体管，其逻辑通断正确率维持在百分之百。”
“没有任何玻璃漏气、没有任何灯丝烧毁现象。最关键的是，它的体积仅为同等功率电子管的百分之一，功耗更是不足其千分之一！”
听着这些看似枯燥的数据，会议室里所有头发花白的学者们，长长地舒了一口气。
有了这些扎实，甚至有些保守的实证数据打底，一份名为《基于硅基半导体材料的新一代计算机研
（本章未完，请点击下一页继续阅读）