第371章超導芯片
第371章超導芯片(第3/4頁)
好了，電能已經具備，陰影區域探索完成，隨時可以進行測試。
屬於是萬事俱備隻欠東風。
“吳工，你們那邊進度如何？”林燃同樣關註這件事，他大概每周會和技術團隊開一次會，技術團隊由華為和阿波羅科技共建，人員配比大概在7比3的樣子。
吳工是這隻技術團隊的具體負責人，華為半導體條線僅次於梁孟鬆的資深工程師。
第一個月：“教授，我們從fese入手，母體fese是半導體，tc隻有8k，但單層薄膜在界麵效應下，能提升到109k。
月球真空環境完美匹配mbe生長，避免氧化。”吳工說
團隊的研究員們戴著護目鏡，操作著設備：先將srtio3襯底加熱到600°c，清潔表麵；然後控製鐵源和硒源的蒸發速率，鐵原子束強度為0.1單層/分鐘，硒過量以確保化學計量比。
生長過程中，吳工偶爾糾正參數：“註意襯底溫度，過高會導致晶格失配，降低電子-聲子耦合，目標厚度是約0.5nm的單原子層。”
在第一個樣品生長完成後，他們用x射線衍射（xrd）檢查晶體結構：峰值顯示良好外延，但電阻測試在液氮浴（77k）中，超導轉變溫度tc隻有50k，遠低於預期。
第二個月：“我覺得應該是硒空位缺陷導致的費米麵重構不完整，吳工，嘗試一下增加後退火步驟，在真空下加熱到400°c，促進界麵電荷轉移。”林燃提醒道“我覺得界麵效應會是關鍵，srtio3的極性層會誘導二維電子氣，提升tc。”
這和2014年nature的一篇文獻有關，在那篇文獻裡有提到，fese/srtio3係統可以利用界麵效應將tc從8k推到100k以上。
團隊迭代三次，調整硒/鐵比從6:1到8:1，終於在第四個樣品上看到進步：xrd顯示銳利峰，表明完美晶格匹配。
第三個月，才開始初見曙光，使用高壓氧摻雜，fese薄膜的晶格扭曲，a軸參數從3.76增加到3.78，電子-聲子耦合增強。
在模擬觀測中，顯示tc能達105k。
林燃說：“我知道大家很高興，但這還不夠，我們需要繼續優化。
因為月球南極的輻射環境會乾擾cooper對，但低溫能抑製熱噪聲。
我們需要集成輻射屏蔽層，用硼摻雜金剛石作為緩衝，bdd的tc雖隻有11k，但其寬帶隙能阻擋宇宙射線。”
他們開始摻雜實驗：在mbe腔內引入氧氣束，壓力控製在10-6torr，摻雜水平0.1-0.2原子%。
測試使用四探針法測量電阻-溫度曲線：在氦氣製冷機下，從300k降溫，電阻在110
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