科技入侵現代

第174章最誤打誤撞的一集

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第174章最誤打誤撞的一集(第4/6頁)

總之如果快的話,我們這幾天就能模擬一個結果出來,看和華國的模型結果是否一致。

如果驗證成功的話,那麼可以證明華國在理論基礎、模型構建和模擬計算上確實有自己的一套。”

赫爾曼問道:“所以,法爾特教授,您的意思是我們應該要和華國合作?”

法爾特點頭:“當然。”

東德的德累斯頓將在未來慢慢成長為整個蘇俄陣營的微電子和半導體工業中心。

在八十年底的時候,擁有超過四萬名雇員。

而其中最大的企業是生產dram,也就是存儲芯片的zmdi。

東德zmdu61000,1mb存儲量,cmos工藝,東德冷戰末期生產的最高端內存芯片。

什麼水平,大致和日立、nec1984年同等水平。

不能算強,但絕不算弱。

而現在,得益於ogas計劃,東德已經提前往半導體領域投入資源了。

如果不是因為這個原因,他們壓根不可能會派魏斯和穆勒前往華國,隻為確認華國的技術到底到了哪個地步。

因為如果不是對半導體空前重視,華國在蘇俄陣營的工業版圖裡確實排不上號。

華國掌握的是一部分釋經權,以及農業和軍事,它的定位不是工業國,此時的蘇俄也不希望華國成為工業國。

如果華國在工業技術上達到和東德一個水平,恐怕蘇俄要夜不能寐了。

片刻後法爾特接著說道:“華國同行們繪製了離子深度分布曲線,並且展示了他們的理論和實驗高度一致。

我認為我們應該推動合作。”

赫爾曼聽完後點頭道:“我會去推動此事的,不過你們彆報太大期望。

畢竟華國同行們想要合作的技術裡,離子註入相關設備還是過於敏感,你們知道的。”

在座各位麵麵相覷。

大家都是知識分子,看報紙屬於是每日例行任務了。

自然知道,此時華國正在研發原子彈。

而離子註入相關技術又包括了大量離子相關設備,也許和核武器無關,但誰又能保證,華國不會將其運用到核武器研發中呢?

“教授,你是說核武器研發?”

“冇錯。”

法爾特辯解道:“離子註入所需的精密設備和核武器無關啊。

核武器研發的目標是實現核裂變或聚變反應,涉及極高的能量和大規模設施,而離子註入專註於微觀尺度的半導體摻雜,能量需求和設備規模差異顯著!

他們壓根就不是一回事。”

作為東德半導體的負責人,法爾特非常迫切希望能夠推動和華國的合作,因為他從中看到了東德半導體迅速發展的曙光。

赫爾曼伸出手往下壓,示意法爾特冷靜:“我知道,我當然知道。

但問題是,我們得說服米特區的官僚們

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