重返88:從迎娶小姨子開始

第883章世界第一枚U盤

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第883章世界第一枚U盤(第1/6頁)

世紀大廈頂層的陽光似乎比彆處更為純粹,它穿透巨大的落地窗,在昂貴的紅木辦公桌和光潔的地板上投射出明亮的光斑。

辦公室裡,那枚改變了移動存儲格局的黑色小方塊,世界上第一塊u盤,正靜靜地躺在陸陽的掌心。

它的份量極輕,不過拇指大小,掂量不出幾克重量。

但在陸陽眼中,它卻重逾千鈞。

這不僅意味著剛剛到手的朗科公司80%控股權,更代表著未來滾滾而來的專利金流和一個即將被顛覆的存儲時代。

閃存技術,並非橫空出世的新鮮事物。

它的理論基石可以追溯到遙遠的1967年。

位於北美新澤西州的貝爾實驗室,兩位亞裔科學家施敏和江大原,如同在混沌中點燃文明火種的先賢,他們發明了浮柵mosfet也俗稱金屬氧化物半導體場效應晶體管。

這項看似深奧的基礎研究,如同為一座宏偉建築打下了堅實的地基,為後來閃存芯片的誕生埋下了決定性的伏筆。

時間推移到1984年技術的種子在東瀛島國破土萌芽。

東芝公司的舛岡富士雄博士,首次提出了基於浮動柵(floatinggate)概念的全新半導體存儲技術,並賦予它一個響亮且形象的名字——“閃存”(flashmemory)。

這一命名,源於其擦除數據時在瞬間像閃光一樣完成的特性。

四年後,1988年,科技巨頭英特爾(intel)將理論推向商業現實,推出了世界上首款商用nor型閃存芯片,標誌著閃存技術正式走出實驗室的象牙塔,踏入了實際應用的廣闊天地。

然而,在1999年的此刻,早期的nor和稍後出現的nand閃存,儘管已經應用於如主板bios、打印機墨盒芯片、小型嵌入式設備等特定領域,卻始終未能撼動當時主流的移動存儲格局。

zip和mo(磁光)技術憑借相對較大的容量和還算穩定的性能,仍是市場的主流寵兒。

它們笨重、讀寫速度慢、對環境要求高,如mo盤需要專用驅動器且怕磁怕震,但確實暫時滿足了用戶對大容量移動存儲的需求痛點。

真正的革命,正是始於眼前成曉華與鄧國順手中這塊小小的u盤(usb閃存盤)。

它甫一誕生,便在幾個關鍵維度上碾壓了其前輩軟盤(floppydisk),甚至在便攜性、易用性和耐用性上,對zip和mo構成了致命威脅。

首先,容量躍升,初代8mb容量已遠超1.44mb軟盤,未來發展潛力更是碾壓。

其次,顛覆性便攜,拇指大小,輕若無物,無需額外保護殼,可輕鬆放入口袋、錢包,告彆了軟盤的脆弱和zip/mo盤的笨重。

最後,即

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