第441章光刻機概念論證
第441章光刻機概念論證(第1/4頁)
發現並驗證了半導體的物理放大原理，僅僅是推開了微電子時代的一條門縫。
要將這種脆弱的實驗室晶體，轉化為能夠支撐運轉的可靠組件，還需要經曆嚴苛的工程學驗證。
接下來的半年時間裡，計算機研究所與材料學研究所抽調了最精銳的骨乾，成立了聯合攻關小組。
由於還冇有設計流水線，所有早期的固態元件隻能全靠手工製造。
學者們戴著厚厚的防塵口罩，在恒溫室裡，用鑷子和極細的金屬絲，小心翼翼地拚接出了幾千個鍺晶體管和矽晶體管的樣品，並將它們封裝在黑色的絕緣膠木之中。
隨後，測試開始了。
畢竟工程學不相信奇跡，隻相信極限狀態下依然穩定的概率。
測試小組的學者們將這些黃豆大小的元件，分批次投入了極端的物理環境中。
他們把元件放進高達一百五十攝氏度的工業烤箱中持續烘烤。
或者在通電狀態下，直接將其扔進刺骨的冰水混合物中測試熱脹冷縮的應力。
甚至將其用螺栓固定在全速運轉的大馬力內燃機外殼上，以模擬火箭升空時那種低頻共振。
實驗數據在日複一日的記錄中緩慢積累，厚厚的手寫數據本在辦公桌上堆成了一座小山。
神諭三二七七年，冬末。
聯合測試中心的總結會如期召開。
“經過近萬小時的交叉對比測試，我們得出了明確的結論，在未來的思路上，必須徹底放棄提純相對容易的鍺，全麵轉向提純難度較高的矽。”
負責環境測試的高級工程師站在黑板前彙報著。
“鍺晶體管在常溫下表現尚可。”
“但是，一旦環境溫度超過八十攝氏度，其內部的自由電子就會開始暴走，引發嚴重的熱失控現象，導致整個邏輯電路短路崩潰。”
工程師指著黑板上的一條斷崖式下跌的曲線，“對於需要塞進火箭整流罩，經受幾千度氣動加熱的高空飛行器來說，鍺元件是致命的。”
“相比之下，矽材料雖然需要兩千度以上的高溫區熔法才能提純，工藝艱難，但它在耐高溫和抗輻射的物理素質上，表現出了令人驚歎的穩定性。”
工程師翻開最後一頁彙總報告，聲音在大理石會議室內回蕩。
“在常規環境下連續通電運行五千小時後，抽樣測試的一千個矽晶體管，其邏輯通斷正確率維持在百分之百。”
“冇有任何玻璃漏氣、冇有任何燈絲燒毀現象。最關鍵的是，它的體積僅為同等功率電子管的百分之一，功耗更是不足其千分之一！”
聽著這些看似枯燥的數據，會議室裡所有頭發花白的學者們，長長地舒了一口氣。
有了這些紮實，甚至有些保守的實證數據打底，一份名為《基於矽基半導體材料的新一代計算機研
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