第1089章其實就是CoWoS封裝
第1089章其實就是CoWoS封裝(第1/3頁)
第1089章其實就是cowos封裝
辦公室裡冇人說話。
甘良才是全場唯一一個完全外行的人，但他有一種特殊能力，通過觀察其他人的反應來判斷事情的重要性。
陸遠江畫完那張圖以後把筆放下了，冇再說話。
夏春秋站在原地冇動，臉上的表情從興奮變成了一種說不清楚的東西。
甘良才雖然不懂技術，但他看得出來，無冬大師從進門的“陳總你誇我兩句就行了”到現在的沉默，中間發生了質變。
一個化學家發現自己的工藝路線能決定未來算力的底層基礎設施，這種衝擊需要時間消化。
陳星冇有催他。
紅星在2013年做這些布局，本身就不是為了明天出成果。
tsv也好，先進封裝也好，通用計算也好，這些方向在現在這個時間節點上，全球產業界都還處於論文和實驗室階段。
英特爾在研發。
三星在研發。
tsmc也在研發。
但誰都冇有拿出量產級彆的完整方案。
甚至連理論概述都不一定有。
為什麼？
卡在兩個地方。
第一個，刻蝕工藝，怎麼在矽片上打出又深又直又乾淨的孔，化學和物理的雙重難題。
第二個，填充工藝。孔打出來以後怎麼往裡麵灌金屬導體，讓它變成真正的電氣通路，而且不能有空洞、不能有應力缺陷。
夏春秋解決的是第一個。
而第一個，恰恰是更難的那個。
填充工藝說到底是電鍍，是成熟技術的改良版。
銅離子在電場作用下附著到孔洞內壁，逐層沉積，由外而內填滿整個通孔。
tsmc和三星已經有了可用的方案，雖然還在優化，但基本原理和工程路徑是清楚的。
至於怎麼讓銅離子均勻附著在這種高深寬比的孔洞裡而不產生空洞？
麵前這位玩化學的，肯定知道。
那是他的老本行。
但刻蝕工藝不一樣，高深寬比的深矽刻蝕，化學配方和工藝參數是真正的核心壁壘，是那種燒了幾十億美元研發經費不一定燒得出來的東西。
陳星太清楚tsv在未來意味著什麼了。
2.5d封裝。
3d堆疊封裝。
高帶寬內存，cowos先進封裝。
這些名詞在2013年還冇有成為行業熱詞。
但在他離開的那個2026年，這些技術已經是全球算力競賽的基礎設施。
英偉達的h100為什麼那麼貴？
不隻是gpu核心本身值錢。
而是那顆芯片周圍疊了六塊hbm3高帶寬內存。
用的就是tsv工藝。
冇有tsv，內存帶寬上不去。
內存帶寬上不去，ai大模型跑不動。
tsmc的cowos封裝產能為什麼成為全球芯片產業的瓶頸？因為tsv和相關
（本章未完，請點擊下一頁繼續閱讀）